- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/50 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/50
Brevets de cette classe: 60
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
18 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
11 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
10 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
6 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
6 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
4 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
2 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1043 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |